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FDS2670 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | Fairchild Semiconductor | 10168 | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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FDS2670参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 200V 3A SO-8 包装数量:2500 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):200V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1228pF @ 100V 功率 - 最大值:1W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 评估演示板和套件STEVAL-TLL002V1 圆形CA00COME22-12PBF80-44 AC DC 转换器MP6-3E-2U-00 接线座 - 配件 FTD75-8-D 压力24PCBFA6G 接线座 - 接头,20020110-G031A01LF 薄膜电容器BFC237035563 跳线,预压接线H3AAT-10106-R6-ND 压力P51-200-S-W-I36-20MA-000- 矩形C3EEG-2018M-ND |